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DMN2016UTS
規(guī)格信息：

制造廠商:DIODES[Diodes Incorporated]

描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

介紹圖DMN2016UTS
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DMN2016UTS-13MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSSDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC網(wǎng)166.96 Kbytes共6頁DMN2016UTS-13的PDF文件地址 DMN2016UTS-13的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN2016UTS-13MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOPDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC網(wǎng)168.94 Kbytes共6頁DMN2016UTS-13的PDF文件地址 DMN2016UTS-13的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN2016UTS-13連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：8.58A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：14.5mΩ @ 9.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：880mW 類型：雙N溝道DIODES(美臺)DIODES(美臺)的LOGO-天天IC網(wǎng)168.94 Kbytes共6頁DMN2016UTS-13的PDF文件地址 DMN2016UTS-13的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
DMN2016UTS-13Dual N-Channel Enhancement MOSFET TSSOP8Diodes IncDiodes Inc的LOGO-天天IC網(wǎng)168.94 Kbytes共6頁DMN2016UTS-13的PDF文件地址 DMN2016UTS-13的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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