制造商:Texas Instruments
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DSBGA-6
通道數量:2 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A
Rds On-漏源導通電阻:150 mOhms, 285 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:6 V
Qg-柵極電荷:1.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:750 mW (3/4 W)
配置:Dual
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.625 mm
長度:1.5 mm
系列:CSD75208W1015
晶體管類型:2 P-Channel
寬度:1 mm
商標:Texas Instruments
下降時間:11 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:5 ns
工廠包裝數量:250
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:29 ns
典型接通延遲時間:9 ns
單位重量:1.700 mg