制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DSBGA-9
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:54 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Qg-柵極電荷:2.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:0.7 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.62 mm
長(zhǎng)度:1.5 mm
系列:CSD75207W15
晶體管類(lèi)型:2 P-Channel
寬度:1.5 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:6.2 S
下降時(shí)間:16 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:8.6 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32.1 ns
典型接通延遲時(shí)間:12.8 ns
單位重量:2.500 mg