產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：NexFET MOSFET Technology
視頻文件：NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：NexFET??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1.2A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：850mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：265pF @ 10V
功率 - 最大值：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-UFBGA，DSBGA
供應(yīng)商器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
其它名稱：296-25335-2