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BSS83P PDF文件_規(guī)格信息

BSS83P
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT23-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：2000.0m?

IDpuls max：-1.32A

VDS max：-60.0V

ID max：-0.33A

Package：SOT-23

Rth：350.0K/W

QG：2.38nC

Budgetary Price ?€/1k：0.03

RDS (on) (@4.5V) max：3000.0m?

Ptot max：0.36W

VGS(th) min max：-1.0 V -2.0 V

Coss：19.0 pF

Ciss：62.0pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS83P

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
BSS83P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	408.76 Kbytes	共9頁	BSP135,BSS7728N,BSO-302SN,BSP149,SN7002N,BSP170P,SN7002W,BSP171P,BSP613P,BSS84P	產(chǎn)品購買
BSS83P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	3559.04 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS83P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	351.44 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS83P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	624.75 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
BSS83P H6327	MOSFET P-Ch SOT-23-3	Infineon Technologies	364.43 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
BSS83P H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：330mA(Ta) 漏源電壓（Vdss）：-60V 柵源極閾值電壓：2V @ 80uA 漏源導通電阻：2Ω @ 330mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	477.88 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
BSS83P_06	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	3559.04 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS83PE6327	MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3	Infineon Technologies	798.17 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS83PH6327XT	MOSFET P-Ch -60V -330mA SOT-23-3	Infineon Technologies	364.43 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
BSS83PH6327XTSA1	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	351.44 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSS83PL6327HTSA1	MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23	Infineon Technologies	798.17 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買