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BSS816NW
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT323-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：160.0m?

IDpuls max：5.6A

VDS max：20.0V

ID max：1.4A

Package：SOT-323

QG：0.6nC

Budgetary Price ?€/1k：0.03

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

VGS(th) min max：0.3 V 0.75 V

Coss：47.0 pF

Ciss：126.0pF

RDS (on) (@1.8V) max：240.0m?

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS816NW

型號	功能描述	生產廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產品購買
BSS816NW	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	234.04 Kbytes	共9頁	產品購買
BSS816NW H6327	MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3	Infineon Technologies	182.60 Kbytes	共9頁	產品購買
BSS816NW H6327		Infineon(英飛凌)	182.33 Kbytes	共9頁	產品購買
BSS816NW L6327	MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323	Infineon Technologies	450.65 Kbytes	共9頁	產品購買
BSS816NWH6327XTSA1	MOSFET N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3	Infineon Technologies	182.60 Kbytes	共9頁	產品購買
BSS816NWH6327XTSA1	MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3	Infineon Technologies	182.33 Kbytes	共9頁	產品購買
BSS816NWH6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.4A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：750mV @ 3.7uA 漏源導通電阻：160mΩ @ 1.4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	182.33 Kbytes	共9頁	產品購買