FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：200mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 26μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：1.5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：56pF @ 25V
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
封裝/外殼：PG-SOT23-3
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60V
Id-連續(xù)漏極電流：200mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：7.5Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：360mW
通道模式：Enhancement
高度：1.1mm
長度：2.9mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：1.3mm
下降時間：2.7ns
上升時間：2.7ns
典型關(guān)閉延遲時間：6.1ns
典型接通延遲時間：2.7ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs