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BSP315 PDF文件_規(guī)格信息

BSP315
規(guī)格信息：

Series-

PackageBulk

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)50 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.8Ohms

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.8W

Operating Temperature150°C

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-223

Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

BSP315

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
BSP315	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	174.92 Kbytes	共9頁	BSS295,BSS123,BSS296,BSP316,BSS297,BSP123,BSP317,BSS84,BSS87,BSP319	產(chǎn)品購買
BSP315P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	83.78 Kbytes	共9頁	BSP135,BSS7728N,BSO-302SN,BSP149,SN7002N,BSP170P,BSP613P,SN7002W,BSP171P,BSS83P	產(chǎn)品購買
BSP315P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	13099.1 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	486.24 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315P	Green device available.	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	725.7 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
BSP315P	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	953.86 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
BSP315P H6327	MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3	Infineon Technologies	480.88 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315P H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.17A 漏源電壓（Vdss）：-60V 柵源極閾值電壓：2V @ 160?A 漏源導通電阻：1.4Ω @ 890mA, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	538.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315P_07	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	13099.1 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315P-E6327	SIPMOS?? Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	543.94 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PE6327T	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4	Infineon Technologies	83.80 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PH6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.17A 漏源電壓（Vdss）：-60V 柵源極閾值電壓：2V @ 160uA 漏源導通電阻：800mΩ @ 1.17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	538.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3	Infineon Technologies	480.69 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4	Infineon Technologies	538.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PH6327XTSA1		Infineon(英飛凌)	538.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PL6327	SIPMOS?? Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	576.79 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP315PL6327HTSA1	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	486.24 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買