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BSP295 PDF文件_規(guī)格信息

BSP295
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-4

安裝風格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：60V

Id-連續(xù)漏極電流：1.8A

Rds On-漏源導通電阻：500mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：SingleDualDrain

Pd-功率耗散：1.8W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

高度：1.6mm

長度：6.5mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：3.5mm

下降時間：9.9ns

上升時間：9.9ns

典型關(guān)閉延遲時間：27ns

典型接通延遲時間：5.4ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：300.0m?

IDpuls max：7.2A

VDS max：60.0V

ID max：1.8 A

Package：SOT-223

QG：14.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.24

RDS (on) (@4.5V) max：500.0m?

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：1.8W

Polarity：N

Pin Count：4.0Pins

VGS(th) min max：0.8 V 2.0 V

Mounting：SMD

Mode：Enhancement

Coss：95.0 pF

Ciss：295.0 pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSP295

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
BSP295	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	180.33 Kbytes	共9頁	BSS295,BSP315,BSS123,BSS296,BSP316,BSS297,BSP123,BSP317,BSS84,BSS87	產(chǎn)品購買
BSP295	SIPMOS Small-Signal Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	290.88 Kbytes	共8頁	BSP298,BSS101,BSS229,BSP372,BS107,BSP299,BSS110,BSS284,BSP373	產(chǎn)品購買
BSP295	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	714.12 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295 H6327	MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3	Infineon Technologies	442.90 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295 H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.8A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：1.8V @ 400uA 漏源導通電阻：300mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295_07	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	714.12 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295E6327	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295E6327	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295E6327T	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295E6327T	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295H6327XTSA1	MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3	Infineon Technologies	442.90 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295H6327XTSA1	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295H6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.8A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：1.8V @ 400uA 漏源導通電阻：300mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295L6327	SIPMOS??? Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	448.13 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295L6327HTSA1	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295L6327HTSA1	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP295L6327HTSA1	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4	Infineon Technologies	442.53 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買

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