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BSP225
規(guī)格信息：

漏極電流（最大值）：0.225 A

頻率（最大）：Not Required MHz

柵源電壓（最大值）：?20 V

輸出功率（最大）：Not Required W

功率耗散：1.5 W

安裝：Surface Mount

噪聲系數(shù)：Not Required dB

漏源導通電阻：15 ohm

工作溫度范圍：-65C to 150C

包裝類型：SOT-223

引腳數(shù)：3 +Tab

極性：P

類型：Power MOSFET

元件數(shù)：1

工作溫度分類：Military

通道模式：Enhancement

漏極效率：Not Required %

漏源導通電壓：250 V

功率增益：Not Required dB

弧度硬化：No

連續(xù)漏極電流：0.225 A

BSP225

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
BSP225	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	76.74 Kbytes	共12頁	BSP204,BSP205,BSS92,BSP090,BSP206,BST100,BSP220,BST120,BSP230,BST122	產(chǎn)品購買
BSP225,115	MOSFET P-CH DMOS 250V 225MA	Nexperia	180.29 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BSP225,115	MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223	Nexperia USA Inc.	179.10 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BSP225,115	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：225mA 漏源電壓（Vdss）：-250V 柵源極閾值電壓：2.8V @ 1mA 漏源導通電阻：15Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 類型：P溝道	Nexperia(安世)	179.10 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買