數(shù)據(jù)列表：BSP170P
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.9A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 1.9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：14nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：410pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4
其它名稱：BSP170PE6327XTINTR