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BSP149
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-4

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：200V

Id-連續(xù)漏極電流：660mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓：2.1V,1V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：SingleDualDrain

Pd-功率耗散：1.8W

通道模式：Depletion

資格：AEC-Q101

高度：1.6mm

長度：6.5mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：3.5mm

下降時(shí)間：3.4ns

上升時(shí)間：3.4ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45ns

典型接通延遲時(shí)間：5.1ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1800.0m?

IDpuls max：2.6A

VDS max：200.0V

ID max：0.66A

RthJC max：70.0 K/W

Package：SOT-223

QG：11.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.36

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：1.8W

Polarity：N

Pin Count：4.0 Pins

VGS(th) min max：-2.1 V -1.0 V

Mounting：SMD

Mode：Depletion

Coss：41.0pF

Ciss：326.0 pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖BSP149
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BSP149 H6327連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：660mA 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：1V @ 400uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ω @ 660mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)396.76 Kbytes共9頁BSP149 H6327的PDF文件地址 BSP149 H6327的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
BSP149 H6906MOSFET N-Ch 200V 140mA SOT-223-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)402.48 Kbytes共9頁BSP149 H6906的PDF文件地址 BSP149 H6906的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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BSP149H6327XTSA1連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：660mA 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：1V @ 400uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ω @ 660mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)396.76 Kbytes共9頁BSP149H6327XTSA1的PDF文件地址 BSP149H6327XTSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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