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BSP123
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:370 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.79 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-223-3

商標(biāo):Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Drain

下降時(shí)間:3.2 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:3.2 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:8.7 ns

典型接通延遲時(shí)間:3.3 ns

BSP123

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
BSP123	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	160.74 Kbytes	共9頁	BSS295,BSP315,BSS123,BSS296,BSP316,BSS297,BSP317,BSS84,BSS87,BSP319	產(chǎn)品購買
BSP123	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	114.63 Kbytes	共8頁	BSP149,BSS7728N,BSO-302SN,BSP170P,SN7002N,BSP171P,BSP613P,SN7002W,BSS83P,BSP296	產(chǎn)品購買
BSP123	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2543.48 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP123_10	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2543.48 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSP123E6327T	MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223	Infineon Technologies	150.23 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP123L6327HTSA1	MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4	Infineon Technologies	150.23 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買