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BSO615N PDF文件_規(guī)格信息

BSO615N
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 陣列

系列：SIPMOS®

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.6A

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 20µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：380pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8

其它名稱：BSO615NINTR

BSO615N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
BSO615N	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	104.6 Kbytes	共8頁	BSP149,BSS7728N,BSO-302SN,BSP170P,SN7002N,BSP171P,BSP613P,SN7002W,BSS83P,BSP296	產(chǎn)品購買
BSO615N	SIPMOS Small-signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	531.18 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSO615N G	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2.6A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2V @ 20uA 漏源導(dǎo)通電阻：150mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 類型：雙N溝道	Infineon(英飛凌)	501.98 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSO615NG	SIPMOS Small-signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	531.18 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSO615NG	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1091.27 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO615NG_12	SIPMOS Small-signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	507.57 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSO615NGHUMA1	MOSFET N-Ch 60V 2.6A SO-8	Infineon Technologies	501.98 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSO615NGHUMA1	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC	Infineon Technologies	501.98 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSO615NGXUMA1	MOSFET N/P-CH 8-SOIC	Infineon Technologies	547.10 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
BSO615NV	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	108.11 Kbytes	共8頁	BSP149,BSS7728N,BSO-302SN,BSP170P,SN7002N,BSP171P,BSP613P,SN7002W,BSS83P,BSP296	產(chǎn)品購買