制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標(biāo):Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:3.44 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:130 mOhms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DSO-8
封裝:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single Quad Drain Triple Source
下降時間:12 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:11 ns
系列:BSO613
工廠包裝數(shù)量:2500
商標(biāo)名:SIPMOS
典型關(guān)閉延遲時間:32 ns
典型接通延遲時間:10 ns
零件號別名:BSO613SPVGHUMA1 BSO613SPVGXT SP000216309