標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.1A，2A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 20µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：22.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：380pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
其它名稱：BSO615CXTINTR