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BSD840N PDF文件_規(guī)格信息

BSD840N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT363-6

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：400.0m?

IDpuls max：3.5A

VDS max：20.0V

ID max：0.88 A

Package：SOT-363 dual

QG：0.26nC

Budgetary Price ?€/1k：0.04

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

VGS(th) min max：0.3 V 0.75 V

Coss：25.0 pF

Ciss：55.0 pF

RDS (on) (@1.8V) max：560.0m?

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

BSD840N

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	232.04 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N	Dual N-channel	INFINEON[Infineon Technologies AG]	442.31 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N H6327	MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6	Infineon Technologies	378.42 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N H6327		Infineon(英飛凌)	436.70 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N L6327	MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363	Infineon Technologies	436.70 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N L6327	MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363	Infineon Technologies	436.70 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840N_14	Dual N-channel	INFINEON[Infineon Technologies AG]	442.31 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840NH6327XT	MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6	Infineon Technologies	378.42 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840NH6327XTSA1	MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6	Infineon Technologies	378.42 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840NH6327XTSA1	MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363	Infineon Technologies	436.70 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840NH6327XTSA1	MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363	Infineon Technologies	436.70 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSD840NH6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：880mA 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：750mV @ 1.6uA 漏源導(dǎo)通電阻：400mΩ @ 880mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類(lèi)型：雙N溝道	Infineon(英飛凌)	436.70 Kbytes	共9頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)