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BSD214SN
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT363-6

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：250.0m?

IDpuls max：6.0A

VDS max：20.0V

ID max：1.5A

Package：SOT-363

QG：0.8nC

Budgetary Price ?€/1k：0.03

RDS (on) (@4.5V) max：140.0m?

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

Coss：46.0pF

Ciss：107.0pF

VGS(th) min max：0.7V 1.2V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSD214SN

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSD214SN	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	225.72 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SN H6327	MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH	Infineon Technologies	326.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SN H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：1.5A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 3.7uA 漏源導(dǎo)通電阻：140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	382.64 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SN L6327	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363	Infineon Technologies	382.64 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SNH6327XTSA1	MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH	Infineon Technologies	326.50 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363	Infineon Technologies	382.64 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6	Infineon Technologies	382.64 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD214SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6	Infineon Technologies	382.64 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買