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BSD316SN
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT363-6

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：160.0m?

IDpuls max：5.6A

VDS max：30.0V

ID max：1.4 A

Package：SOT-363

QG：0.6 nC

Budgetary Price ?€/1k：0.04

RDS (on) (@4.5V) max：280.0m?

Ptot max：0.5W

RthJA max：250.0K/W

VGS(th) min max：1.2 V 2.0 V

Coss：26.0pF

Ciss：71.0pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSD316SN

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSD316SN	OptiMOSa?￠2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	305.83 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD316SN H6327	MOSFET SMALL SIGNAL N-CH	Infineon Technologies	417.61 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD316SN H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.4A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2V @ 3.7uA 漏源導(dǎo)通電阻：160mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	431.86 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD316SNH6327XTSA1	MOSFET SMALL SIGNAL N-CH	Infineon Technologies	417.61 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD316SNH6327XTSA1	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6	Infineon Technologies	431.86 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSD316SNL6327XT	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363	Infineon Technologies	431.86 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買