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BLF7G22L-130
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:28 A

Vds-漏源極擊穿電壓:65 V

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V

增益:18.5 dB

輸出功率:33 W

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-502A

封裝:Bulk

工作頻率:2 GHz to 2.2 GHz

類型:RF Power MOSFET

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V

BLF7G22L-130

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BLF7G22L-130	Power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	180.61 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
BLF7G22L-130	RF Manual 16th edition	NXP[NXP Semiconductors]	9375.07 Kbytes	共130頁	產(chǎn)品購買
BLF7G22L-130,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A	Ampleon USA Inc.	1.14 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
BLF7G22L-130,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A	Ampleon USA Inc.	1.14 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
BLF7G22L-130N	Power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	166.56 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買