制造商:NXP
產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
商標(biāo):NXP Semiconductors
Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A
Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:580 mOhms
晶體管極性:N-Channel
技術(shù):Si
Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:CDFM
封裝:Tube
最小工作溫度:- 65 C
工廠包裝數(shù)量:20
類型:RF Power MOSFET
零件號(hào)別名:BLF6G38-25,112