制造商:NXP
產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
商標:NXP Semiconductors
Id-連續(xù)漏極電流:34 A
Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:135 mOhms
晶體管極性:N-Channel
技術(shù):Si
Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V
增益:16 dB
輸出功率:20 W
最大工作溫度:+ 150 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-502B
封裝:Tube
最小工作溫度:- 65 C
工作頻率:2.5 GHz to 2.7 GHz
工廠包裝數(shù)量:20
類型:RF Power MOSFET
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
零件號別名:BLF6G27LS-135,112