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BLF6G38LS-50
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:16.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:65 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhms

晶體管極性:N-Channel

技術(shù):Si

Vgs-柵源極擊穿電壓 :13 V

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT502B

封裝:Tube

最小工作溫度:- 65 C

工廠包裝數(shù)量:20

類型:RF Power MOSFET

零件號(hào)別名:BLF6G38LS-50,112

BLF6G38LS-50

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
BLF6G38LS-50	WiMAX power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	93.83 Kbytes	共12頁(yè)	2N6059_03,BLF6G27-45,BLS6G3135-120,BLC6G10-160,BLF2022-40,BLC6G20-75,BLF2022-70,BLC6G22-100,BLF2022-125,BLF4G20LS-110B	產(chǎn)品購(gòu)買
BLF6G38LS-50	WiMAX power LDMOS transistor	NXP[NXP Semiconductors]	162.62 Kbytes	共13頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
BLF6G38LS-50,112	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B	Ampleon USA Inc.	1.79 Mbytes	共13頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
BLF6G38LS-50,118	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B	Ampleon USA Inc.	1.79 Mbytes	共13頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買