封裝/外殼：D2PAK
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：17A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：370pF @ 25V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），45W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D-PAK（TO-252AA）
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：17 A
最大漏源電壓：55 V
最大漏源電阻值：70 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最小柵閾值電壓：2V
最大柵源電壓：±20 V
封裝類型：D2PAK
引腳數(shù)目：2 + Tab
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：45 W
高度：4.83mm
正向跨導(dǎo)：4.5S
正向二極管電壓：1.3V
系列：AUIRFZ24N
尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型柵極電荷@Vgs：20 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：370 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時間：19 ns
典型接通延遲時間：4.9 ns
寬度：9.65mm
每片芯片元件數(shù)目：1
汽車標(biāo)準(zhǔn)：AEC-Q101
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+175 °C
長度：10.67mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs