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封裝/外殼：TO262

通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：120 A，210 A

最大漏源電壓：60 V

最大漏源電阻值：3 m0hms

最大柵閾值電壓：4V

最小柵閾值電壓：2V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：I2PAK (TO-262)

安裝類型：通孔

引腳數(shù)目：3

晶體管配置：單

通道模式：增強(qiáng)

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：300 W

高度：9.65mm

每片芯片元件數(shù)目：1

尺寸：10.67 x 4.83 x 9.65mm

寬度：4.83mm

系列：HEXFET

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：120 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：6540 pF@ 50 V

典型關(guān)斷延遲時間：55 ns

典型接通延遲時間：19 ns

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+175 °C

長度：10.67mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs