封裝/外殼：TO262
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100V
Id-連續(xù)漏極電流：180A
Rds On-漏源導通電阻：3.9mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：143nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+175C
配置：Single
Pd-功率耗散：375W
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
封裝：Tube
高度：2.3mm
長度：6.5mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：6.22mm
下降時間：77ns
上升時間：86ns
典型關(guān)閉延遲時間：100ns
典型接通延遲時間：21ns
Packing Type：TUBE
ID max：127.0 A
Technology：Trench Mosfet
RthJC max：0.4 K/W
Package：I2PAK (TO-262)
Budgetary Price ?€/1k：1.93
Ptot max：375.0 W
Polarity：N
Qgd：50.0 nC
VDS max：100.0 V
RDS (on) (@10V) max：4.7 m?
Mounting：THT
Moisture Sensitivity Level：1
QG (typical)：143.0 nC
VGS max：20.0 V
ID (@ TC=25°C) max：180.0 A
Tj max：175.0 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs