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FET 類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：6A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1175pF @ 20V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：42 毫歐 @ 6A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs