包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列-
零件狀態(tài)停產(chǎn)
FET 類型P 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）38V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）14A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V，20V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）10 毫歐 @ 14A，20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）63nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）3800pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）