FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：16nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：760pF @ 15V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 8A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs