系列：AO
FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：9.7A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：32nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1900pF @ 15V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：20 毫歐 @ 9.7A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：9.7A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs