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FET 類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：12V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：47nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4750pF @ 6V

功率耗散（最大值）：3W（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 11A，4.5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs