������:Infineon
�a(ch��n)Ʒ�N�:IGBT ģ�K
RoHS:��
�a(ch��n)Ʒ:IGBT Silicon Modules
����:IGBT-Inverter
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:1.7 kV
��늘O����O�늉�:2 V
��25 C���B�m(x��)��늘O���:82 A
�ŘO����O©й���:400 nA
Pd-���ʺ�ɢ:345 W
���b / ���w:Module
��С�����ض�:- 40 C
������ض�:+ 125 C
���b:Tray
�̘�(bi��o):Infineon Technologies
���b�L(f��ng)��:Chassis Mount
�ŘO/�l(f��)��O���늉�:20 V
�a(ch��n)Ʒ���:IGBT Modules
���S���b��(sh��)��:10
��e:IGBTs
���̖�e��:FS50R17KE3B17BOSA1 SP000091942
�����:180 g