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FS50R12W2T4_B11
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:IGBT 模塊

產品:IGBT Silicon Modules

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.15 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:83 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

Pd-功率耗散:335 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產品類型:IGBT Modules

工廠包裝數量:15

子類別:IGBTs

零件號別名:FS50R12W2T4B11BOMA1 SP000546148

單位重量:39 g

介紹圖FS50R12W2T4_B11
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FS50R12W2T4_B11EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網637.56 Kbytes共9頁FS50R12W2T4_B11的PDF文件地址 FS50R12W2T4_B11的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FS50R12W2T4_B11EasyPACK Modul mit Trench INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網717.2 Kbytes共9頁FS50R12W2T4_B11的PDF文件地址 FS50R12W2T4_B11的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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