������:Infineon
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:Through Hole
���b / ���w:TO-220-3
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:60 V
Id-�B�m(x��)©�O���:72 A
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:12 mOhms
Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:4 V
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
Qg-�ŘO늺�:73.3 nC
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 175 C
Pd-���ʺ�ɢ:150 W
����:Single
���b:Tube
�߶�:15.65 mm
�L(zh��ng)��:10 mm
���w�����:1 N-Channel
����:4.4 mm
�̘�(bi��o):Infineon Technologies
����猧(d��o) - ��Сֵ:35 S
�½��r(sh��)�g:166 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r(sh��)�g:200 ns
���S���b��(sh��)��:1000
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:157 ns
���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:7.6 ns
���̖(h��o)�e��:SP001550284
�����:6 g