������:Infineon
�a(ch��n)Ʒ�N�:IGBT ���w��
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b / ���w:TO-247-3
���b�L(f��ng)��:Through Hole
����:Single
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:650 V
��늘O����O�늉�:1.35 V
�ŘO/�l(f��)��O���늉�:20 V
��25 C���B�m(x��)��늘O���:79 A
Pd-���ʺ�ɢ:230 W
��С�����ض�:- 40 C
������ض�:+ 175 C
ϵ��:TRENCHSTOP 5 S5
���b:Tube
�߶�:20.7 mm
�L(zh��ng)��:15.87 mm
�����ضȷ���:- 40 C to + 175 C
����:5.31 mm
�̘�(bi��o):Infineon Technologies
�ŘO����O©й���:100 nA
�a(ch��n)Ʒ���:IGBT Transistors
���S���b��(sh��)��:240
��e:IGBTs
�̘�(bi��o)��:TRENCHSTOP
���̖(h��o)�e��:IKW40N65ES5XKSA1 SP001319680
�����:38 g