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增強型MOS管(N溝道)

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現(xiàn)貨 IRFBG20PBF TO-220AB 場效應(yīng)MOS管N溝道 1000V 1.4A

  • IRFBG20PBF3.52026-06-01 05:14
  • VISHAY(威世)
  • 1
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供應(yīng)商信息

深圳市鑫晟源電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    19

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Microchip NXP ST Ti
  • 聯(lián)　系人：林煒東，林俊源
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：實-單-專-線V+18938047708
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18938047708/18938048779
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈19層C
IRFBG20PBF數(shù)據(jù)手冊
IRFBG20PBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
1 kV
Id-連續(xù)漏極電流
1.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
11 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓
2 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
38 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Tube
高度
15.49 mm
長度
10.41 mm
系列
IRFBG
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
4.7 mm
商標(biāo)
Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值
1 S
下降時間
31 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
17 ns
工廠包裝數(shù)量
50
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
58 ns
典型接通延遲時間
9.4 ns
單位重量
6 g
商品詳情

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