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增強(qiáng)型MOS管(P溝道)

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AO4407A 場(chǎng)效應(yīng)管

  • AO4407A加微2026-06-08 05:34
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供應(yīng)商信息

深圳市鼎信佳電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    8

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：ADI Infineon Microchip Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：l羅先生,黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：13422891902
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13422891902，13631522237
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中10A11
AO4407A數(shù)據(jù)手冊(cè)
AO4407A參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
系列：
AO
FET類型：
P 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
12A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
6V，20V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
3V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
39nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
2600pF @ 15V
Vgs（最大值）：
±25V
功率耗散（最大值）：
3.1W（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
11 毫歐 @ 12A，20V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-SOIC
封裝形式Package：
SOIC
極性Polarity：
P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
30V
連續(xù)漏極電流ID：
12A
無(wú)鉛情況/RoHs：
無(wú)鉛/符合RoHs
商品詳情

商品目錄 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
類型 P溝道
漏源電壓(Vdss) 30V
連續(xù)漏極電流(Id) 12A
功率(Pd) 3.1W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@20V,12A
閾值電壓(Vgs(th)@Id) 3V@250uA

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：12A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds _disibledevent="color:#444444;font-family:微軟雅黑, 宋體, Arial, Helvetica, sans-serif;background-color:#FFFFFF;">供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

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