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其它集成電路

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IRL3705NPBF

  • IRL3705NPBF請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-05-30 05:26
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
IRL3705NPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)
IRL3705NPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源：
IRL3705NPBF Saber Model IRL3705NPBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
50
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
HEXFET®
包裝：
管件
FET 類型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
89A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
10 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：
98nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：
3600pF @ 25V
功率 - 最大值：
170W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
其它名稱：
*IRL3705NPBF
商品詳情

產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
55 V
Id-連續(xù)漏極電流:
77 A
Rds _disibledevent="text-align:center;">  
深圳市三磚科技infineon一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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