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FDD4685

型號:FDD4685價格:請詢價更新時間:2026-05-23 05:24
品牌:FAIRCHILD
起訂量:1
供貨總量:9500

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供應商信息

深圳市三磚科技有限公司

旺鋪首頁 IC現(xiàn)貨庫存供應產品

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FDD4685數(shù)據(jù)手冊

PDF資料
FDD4685 PDF資料

FDD4685參數(shù)信息

參數(shù)	參數(shù)值
制造商	ON Semiconductor
產品種類	MOSFET
RoHS	是
技術	Si
安裝風格	SMD/SMT
封裝 / 箱體	TO-252-3
通道數(shù)量	1 Channel
晶體管極性	P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓	40 V
Id-連續(xù)漏極電流	32 A
Rds On-漏源導通電阻	27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓	20 V
最小工作溫度	- 55 C
最大工作溫度	+ 150 C
Pd-功率耗散	69 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商標名	PowerTrench
封裝	Cut Tape
封裝	MouseReel
封裝	Reel
高度	2.39 mm
長度	6.73 mm
系列	FDD4685
晶體管類型	1 P-Channel
寬度	6.22 mm
商標	ON Semiconductor / Fairchild
下降時間	14 ns
產品類型	MOSFET
上升時間	15 ns
工廠包裝數(shù)量	2500
子類別	MOSFETs
典型關閉延遲時間	34 ns
典型接通延遲時間	8 ns
單位重量	260.370 mg

商品詳情

ON Semiconductor PowerTrench® MOSFET

仙童提供業(yè)界最齊全的 PowerTrench® MOSFET 產品組合。您可以從多種技術中選擇適合您應用的 MOSFET。仙童提供 N 溝道和 P 溝道版本的 MOSFET，利用其先進的 Power Trench® 工藝，該工藝經(jīng)優(yōu)化實現(xiàn)了低 RDS(ON) 開關性能和堅固性。這些 PowerTrench® MOSFET 可滿足幾乎任何應用的需要，如負載開關、一次開關、移動計算、直流-直流轉換器、同步整流器等等。

ON半導體擴展了power塹壕mosfet的產品線，提供不同的漏源電壓、漏電流和RDS(ON)。這一擴展包括先進的封裝和硅結合為低RDS(ON)和高效率，熱效率的封裝，和下一代增強體二極管技術。典型的應用包括用于DC/DC轉換器的同步整流器、筆記本或網(wǎng)絡低側開關、電信二次側整流和負載開關。

特性

廣泛的power塹壕MOSFET投資組合

n通道和p通道版本，使用先進的power塹壕過程

低RDS(ON)開關性能和耐用性

應用

負荷開關

主開關

移動計算

直流-直流轉換器

同步整流器