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其它集成電路

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STB120N4LF6

  • STB120N4LF6請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-18 05:50
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3003號(hào)上步工業(yè)區(qū)201棟588
STB120N4LF6數(shù)據(jù)手冊(cè)
STB120N4LF6參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
其它有關(guān)文件：
STB120N4LF6 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
Automotive Grade Transistors and Discretes
特色產(chǎn)品：
STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
DeepGATE?，STripFET? VI
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
80A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
4 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：
80nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：
4300pF @ 25V
功率 - 最大值：
110W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
其它名稱：
497-11096-2
商品詳情

STMicroelectronics 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的STripFET功率MOSFET

STMicroelectronics符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的STripFET功率MOSFET采用ST專有的溝槽式低壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了非常低的導(dǎo)通損耗。這些功率MOSFET最大限度地降低了電氣驅(qū)動(dòng)器的通常能耗，從而提高了效率，使其適用于各種應(yīng)用。這些器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-252和TO-263 SMD封裝，RDS(on)范圍為3mΩ至12.5mΩ，在大多數(shù)低壓汽車應(yīng)用中均具有出色性能。該系列產(chǎn)品包含標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平閾值。

FEATURES

  • 標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平閾值驅(qū)動(dòng)
  • 低導(dǎo)通電阻RDS(on)
  • 高雪崩耐受性
  • 100%經(jīng)雪崩測(cè)試
  • 超低導(dǎo)通電阻

應(yīng)用

  • 開關(guān)應(yīng)用
  • 汽車
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-263-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V
Id-連續(xù)漏極電流:
80 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> MOSFET
深圳市三磚科技ST一級(jí)代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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