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其它集成電路

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IRF8313TRPBF

  • IRF8313TRPBF請詢價2026-06-04 05:24
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供應(yīng)商信息

深圳市三磚科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    11

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：
  • 聯(lián)　系人：黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18823887255
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3003號上步工業(yè)區(qū)201棟588
IRF8313TRPBF數(shù)據(jù)手冊
IRF8313TRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標準包裝：
4,000
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 陣列
系列：
HEXFET®
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
9.7A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
15.5 毫歐 @ 9.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
760pF @ 15V
功率 - 最大值：
2W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SO
其它名稱：
IRF8313TRPBFTR
商品詳情

英飛凌

30V HEXFET®Power mosfts

英飛凌30V HEXFET®Power mosfet專為體積小、效率高、熱傳導(dǎo)能力強的高密度應(yīng)用而設(shè)計，非常適合筆記本電腦應(yīng)用、服務(wù)器上使用的POL轉(zhuǎn)換器，以及先進的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。這些30V HEXFET®Power mosfts比前幾代提供了顯著的柵氧化物改善，并提供了高性能，作為系統(tǒng)解決方案的一部分，以優(yōu)化12VIN / 1-3VOUT DC-DC同步降壓變換器的應(yīng)用。低RDS(on)和低Qg使得這些英飛凌30V HEXFET®Power mosfet非常適合于負載點轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。低導(dǎo)通損耗提高了全負荷效率和熱工性能，而低開關(guān)損耗有助于在輕負荷下實現(xiàn)高效率。

產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
 
 
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-8
通道數(shù)量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
9.7 A
Rds _disibledevent="col-xs-5"> MOSFET
深圳市三磚科技infineon一級代理廠原裝現(xiàn)貨 聯(lián)系人：盧先生 電話：13152699590

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