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FS200R06KE3

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深圳市淘芯電子有限公司

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  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:HiSilicon Semtech
  • 聯(lián) 系人:鄭小姐
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  • 聯(lián)系電話:0755-82796668
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推薦的產(chǎn)品
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FS200R06KE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
200 A
封裝 / 箱體
Econo 3
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
高度
17 mm
長(zhǎng)度
122 mm
寬度
62 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號(hào)別名
FS200R06KE3BOSA1 SP000091928
單位重量
300 g
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 200 A
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: Econo 3
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
工廠包裝數(shù)量: 10

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