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FP25R12KT3

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深圳市淘芯電子有限公司

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推薦的產(chǎn)品
暫無推薦產(chǎn)品信息
FP25R12KT3數(shù)據(jù)手冊
FP25R12KT3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
40 A
封裝 / 箱體
Econo 2
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 125 C
封裝
Tray
高度
17 mm
長度
107.5 mm
寬度
45 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號別名
FP25R12KT3BOSA1 SP000100446
單位重量
180 g
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 40 A
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: Econo 2
封裝: Tray
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
工廠包裝數(shù)量: 10

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