商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))6.8A
柵源極閾值電壓2.5V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻26mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.7W
類型雙N溝道
VBZA9936
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| VBZA9936 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 629.57 Kbytes | 共9頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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