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VBZA4435
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）-30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）9A

柵源極閾值電壓2.5V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻24mΩ @ 5.6A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）4.2W

類型P溝道

介紹圖VBZA4435
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VBZA4435P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)617.73 Kbytes共9頁VBZA4435的PDF文件地址 VBZA4435的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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