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VBTA3230NS
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）20A

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）600mA

柵源極閾值電壓1V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻300mΩ @ 500mA,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）220mW

類型雙N溝道

介紹圖VBTA3230NS
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VBTA3230NSDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)710.57 Kbytes共8頁VBTA3230NS的PDF文件地址 VBTA3230NS的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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