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VBTA1220N
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）20V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）850mA

柵源極閾值電壓1V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻390mΩ @ 500mA,2.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）500mW

類型N溝道

介紹圖VBTA1220N
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VBTA1220NN-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)484.78 Kbytes共9頁VBTA1220N的PDF文件地址 VBTA1220N的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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