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VBQG7313
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）12A

柵源極閾值電壓-2.4V @ -250uA

漏源導通電阻13mΩ @ 12A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）19W

類型N溝道

介紹圖VBQG7313
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
VBQG7313N-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)768.95 Kbytes共9頁VBQG7313的PDF文件地址 VBQG7313的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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