商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))30A
柵源極閾值電壓3V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻10mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)16.7W
類型N溝道
VBQF1310
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| VBQF1310 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 752.84 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 |
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