制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-363T-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V, 30 V
Id-連續(xù)漏極電流:1 A, 1.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:240 mOhms, 390 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV, 500 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Qg-柵極電荷:1.6 nC, 2.1 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.77 mm
長度:2 mm
系列:US6M2
晶體管類型:1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
類型:MOSFET
寬度:1.7 mm
商標(biāo):ROHM Semiconductor
下降時間:6 ns, 10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:9 ns, 8 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:15 ns, 25 ns
典型接通延遲時間:7 ns, 9 ns
零件號別名:US6M2
單位重量:7.500 mg